Вставки в 4-ый промежуток ВЭПП-3 (магниты 4M и линзы 4L).

                Для того, чтобы обеспечить выпуск синхротронного излучения в бункер, магнитные блоки полуколец, примыкающие к 4-му промежутку, были заменены на вставки, имеющие ту же магнитную структуру, что и один блок полукольца (BDBF), но состоящие из отдельных С-образных магнитов и квадрупольных линз. Первоначально такая структура позволяла также построить байпас, параллельный 4-му промежутку, для работы с оптическим клистроном (вариантом генератора когерентного синхротронного излучения).

                Питание вставок осуществляется отдельными источниками: 4 магнита питаются последовательно источником 4M, а 4 линзы – источником 4L. В каждом магните имеются также дополнительные обмотки для коррекции вертикального магнитного поля (радиальной орбиты), в верхней и нижней половинах магнита. Обмотки коррекции в верхних частях всех магнитов соединены последовательно, и питаются источником, известным под именем 4XMB.  Нижние обмотки магнитов вставки, примыкающей к первому полукольцу, также соединены последовательно, и питаются источником 1X1; нижние обмотки во вставке, примыкающей к третьему полукольцу, питаются источником 3X8. В линзах на каждом полюсе имеются также обмотки коррекции; они обычно соединяются каким образом, чтобы создавать радиальное магнитное поле, и используются как корректора вертикальной орбиты.

                        Параметры магнита:

                Длина магнита:                                                             L = 763.6 мм

                Угол поворота траектории:                                     Fi = 11.25 градусов

                Радиус поворота траектории:                                                R = 3888.9 мм

                Зазор магнита (верт.):                                                D = 30 мм

                Ширина полюса:                                                           dH = 130 мм

                Основная обмотка (на весь магнит):                  N = 16 * 2 витков

                Обмотка коррекции (на полюс):                          n =  20 витков

                Ток питания основной обмотки (E = 1 ГэВ):     I_1 = 638.3 A

                Основной источник питания

(максимально, 4 магнита суммарно):       I = 1.5 кА;   U = 45 В;  W = 66 кВт

 

 

На рисунке показано, как подключаются источники питания 1X1, 3X8, 4XMB к обмоткам коррекции магнитов вставок. Цифры означают номера клемм на клеммниках магнитов.

 

      Параметры линзы:

Длина линзы                                                         280 мм

Диаметр вписанной окружности                80 мм

Градиент (максим.)                                           2.14 кГс/см

Максим. индукция в железе                         14.4 кГс               

Основная обмотка                                              6 витков на полюс

Корректирующая обмотка                            22 витка на полюс

Основной источник питания 4L

(максимально, 4 линзы суммарно):                                         I = 1.8 кА ;  U = 7.4 В ;  W =  13 кВт

Обмотки коррекции на полюсах обычно соединяются последовательно (в одной линзе) таким образом, чтобы создавать радиальное или вертикальное магнитное поле (для коррекции орбиты). В этом случае они создают поле в центре линзы (по магнитным измерениям):     dB/dI = 8.7 Гс/А.

Можно их соединить и так, чтобы они создавали коррекцию градиента линзы, тогда измеренная добавка градиента:      dG/dI = 4.4 Гс/см/А.

 

 

 

Зависимость магнитного поля в магнитах вставок от питающего тока. 

Магниты вставок при большой энергии (выше 1.6 Гэв) работают в режиме насыщения, т.е. при существенно нелинейной зависимости магнитного поля в них от питающего тока. Эта зависимость была измерена и представлена в файле:

home/vepp4/mishnev/C++/V3_PROC/V3_regms/Calibr_4M_curr(E).txt

Она используется в программе “v3_proc” для управления током в магнитах 4M во время ускорения.

 

     

+

 

 

Эффективность обмоток коррекции магнита.

Угол поворота траектории в одном магните:      Fi = 11.25 градусов (196.35 мрад)

Необходимое количество ампер-витков в основной

обмотке на энергии 1 ГэВ (в линейной области):          I_1*N = 20425.6 А-витков

Ток в корректирующей обмотке (на одном полюсе), необходимый для создания угла дефлекции, равного 1 мрад:             I_corr_1 = (I_1*N)/(Fi * n) = 5.20 A.

Эффективность одной обмотки коррекции (в линейной области):  

 Eff = 1/I_corr_1 = 0.192 мрад*Гэв/А.

 

Эффективность для корректоров 1X1 и 3X8 (включаются две обмотки):          Eff = 0.384 мрад*Гэв/А.

Эффективность для корректора 4XMB (включаются четыре обмотки):            Eff = 0.768 мрад*Гэв/А.

 

В таблице параметров магнитных элементов: 

home/vepp4/mishnev/C++/V3_PROC/V3_regms/Base_Mag_Elem.txt

записаны как раз эти величины.

 

 

При высокой энергии (выше 1.5 Гэв) магниты вставок работают в области насыщения, поэтому эффективность корректоров уменьшается обратно пропорционально производной dI/dE в соответствующей области по энергии. Например, в области 1.8 -:- 2.0 Гэв эффективность уменьшается в 1.8 раза по сравнению с линейной формулой.